Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > DMN2023UCB4-7

RFQs/Orden (0)

español

español

6805411

DMN2023UCB4-7

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

3000+

$0.286

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

DMN2023UCB4-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN2023UCB4-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Paquete del dispositivo

X1-WLB1818-4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

-
Potencia - Max

1.45W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-XFBGA, WLBGA
Otros nombres

DMN2023UCB4-7DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1.45W Surface Mount X1-WLB1818-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "DMN2023UCB4-7".

DMN2016LHAB-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2027LK3-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2028USS-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2028UFDF-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2022UFDF-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2026UVT-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2022UNS-7

Descripción: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2028UFDF-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2022UNS-13

Descripción: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2020LSN-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2022UFDF-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2028UFDH-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2020UFCL-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2016LFG-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2028UFU-13

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 7.9A UDFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2027UPS-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2028UFU-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2026UVT-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.