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Imagen DMN21D2UFB-7B

Diodes Incorporated

DMN21D2UFB-7B

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Especificaciones

Número de pieza

DMN21D2UFB-7B
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN21D2UFB-7B.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

3-DFN1006 (1.0x0.6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

990 mOhm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

380mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

3-UFDFN
Otros nombres

DMN21D2UFB-7BDIDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

27.6pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.93nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 760mA (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

760mA (Ta)

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