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Imagen DMN2300UFB4-7B

Diodes Incorporated

DMN2300UFB4-7B

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Especificaciones

Número de pieza

DMN2300UFB4-7B
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN2300UFB4-7B.pdf
VGS (th) (Max) @Id

950mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

X2-DFN1006-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

175 mOhm @ 300mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-XFDFN
Otros nombres

DMN2300UFB4-7BDITR
DMN2300UFB47B
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

64.3pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A (Ta)

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