Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMN3016LFDE-13
RFQs/Orden (0)
español
español
4009383Imagen DMN3016LFDE-13Diodes Incorporated

DMN3016LFDE-13

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
10000+
$0.117
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN3016LFDE-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN3016LFDE-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    12 mOhm @ 11A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    730mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-UDFN Exposed Pad
  • Otros nombres
    DMN3016LFDE-13DI
    DMN3016LFDE-13DI-ND
    DMN3016LFDE-13DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "DMN3016LFDE-13".
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

Descripción: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Descripción: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

Descripción: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Descripción: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Descripción: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Descripción: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Descripción: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.