DMN3016LDN-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMN3016LDN-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN3016LDN-13.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

V-DFN3030-8 (Type J)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 11A, 10V
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.3nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 9.2A (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8 (Type J)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A (Ta)

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DMN3010LSS-13

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated

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