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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMN4800LSSL-13

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Imagen DMN4800LSSL-13

Diodes Incorporated

DMN4800LSSL-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMN4800LSSL-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN4800LSSL-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

14 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.46W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

DMN4800LSSL-13DIDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

798pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.7nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 8A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

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