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Imagen DMN53D0LDW-13

Diodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMN53D0LDW-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN53D0LDW-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SOT-363
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Potencia - Max

310mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

DMN53D0LDW-13DI
DMN53D0LDW-13DI-ND
DMN53D0LDW-13DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 360mA 310mW Surface Mount SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

360mA

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