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Imagen DMN55D0UT-7

Diodes Incorporated

DMN55D0UT-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN55D0UT-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN55D0UT-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-523
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4 Ohm @ 100mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

200mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SOT-523
Otros nombres

DMN55D0UTDIDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

N-Channel 50V 160mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

160mA (Ta)

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