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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMN62D0LFB-7

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Imagen DMN62D0LFB-7

Diodes Incorporated

DMN62D0LFB-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN62D0LFB-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN62D0LFB-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

3-X1DFN1006
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2 Ohm @ 100mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

470mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

3-UFDFN
Otros nombres

DMN62D0LFB-7DICT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.45nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-X1DFN1006
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

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