DMN62D0LFD-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN62D0LFD-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN62D0LFD-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

X1-DFN1212-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2 Ohm @ 100mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

480mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-UDFN
Otros nombres

DMN62D0LFD-7DITR
DMN62D0LFD-7TR
DMN62D0LFD-7TR-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

31pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

500nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

310mA (Ta)

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DMN61D9U-7

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated

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