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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMP2066LVT-7

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Imagen DMP2066LVT-7

Diodes Incorporated

DMP2066LVT-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMP2066LVT-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V TSOT26
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP2066LVT-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSOT-26
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

45 mOhm @ 4.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.2W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

DMP2066LVT-7DICT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1496pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 4.5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

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