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Imagen DMP2066UFDE-7

Diodes Incorporated

DMP2066UFDE-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMP2066UFDE-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP2066UFDE-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

U-DFN2020-6 (Type E)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

36 mOhm @ 4.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

660mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres

DMP2066UFDE-7DITR
DMP2066UFDE7
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1537pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 6.2A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Ta)

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