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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMP34M4SPS-13

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Imagen DMP34M4SPS-13

Diodes Incorporated

DMP34M4SPS-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMP34M4SPS-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP34M4SPS-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerDI5060-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.5W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

DMP34M4SPS-13DICT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3775pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

127nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 135A (Tc) 1.5W Surface Mount PowerDI5060-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

135A (Tc)

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