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Imagen DMT6015LPS-13

Diodes Incorporated

DMT6015LPS-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMT6015LPS-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMT6015LPS-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerDI5060-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

16 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.16W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

DMT6015LPS-13-ND
DMT6015LPS-13DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1103pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 10.6A (Ta), 31A (Tc) 1.16W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10.6A (Ta), 31A (Tc)

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