DMT6010SCT

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Especificaciones

Número de pieza

DMT6010SCT
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHA 60V 98A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMT6010SCT.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

7.2 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.3W (Ta), 104W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

DMT6010SCTDI-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1940pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

36.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 98A (Tc) 2.3W (Ta), 104W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

98A (Tc)

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DMT6009LSS-13

Descripción: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Fabricantes: Diodes Incorporated

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