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4461327Imagen DMTH10H010SPSQ-13Diodes Incorporated

DMTH10H010SPSQ-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMTH10H010SPSQ-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMTH10H010SPSQ-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerDI5060-8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 13A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.5W (Ta), 166W (Tc)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    DMTH10H010SPSQ-13DIDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4468pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    56.4nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 11.8A (Ta), 100A (Tc) 1.5W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    11.8A (Ta), 100A (Tc)

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