DMTH10H015LPS-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMTH10H015LPS-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMTH10H015LPS-13.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerDI5060-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

16 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.3W (Ta), 46W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1871pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

33.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 7.3A (Ta), 44A (Tc) 1.3W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A (Ta), 44A (Tc)

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DMTH10H025LK3-13

Descripción: MOSFET NCH 100V TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated

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