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1811457Imagen DMTH6016LSDQ-13Diodes Incorporated

DMTH6016LSDQ-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMTH6016LSDQ-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMTH6016LSDQ-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    19.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Potencia - Max
    1.4W, 1.9W
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    DMTH6016LSDQ-13DICT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    28 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    864pF @ 30V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    7.6A (Ta)

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