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6502135Imagen DMTH8012LPSQ-13Diodes Incorporated

DMTH8012LPSQ-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMTH8012LPSQ-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET NCH 80V 10A POWERDI
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMTH8012LPSQ-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerDI5060-8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    17 mOhm @ 12A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.6W (Ta), 136W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    DMTH8012LPSQ-13DICT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2051pF @ 40V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    46.8nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    N-Channel 80V 10A (Ta), 72A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 72A (Tc)

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