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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-puentes rectificadores > KBP210G
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5610094Imagen KBP210GDiodes Incorporated

KBP210G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    KBP210G
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    RECT BRIDGE GPP 1000V 2A KBP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    KBP210G.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    1kV
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 2A
  • Tecnología
    Standard
  • Paquete del dispositivo
    KBP
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    4-SIP, KBP
  • Otros nombres
    KBP210GDI
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    25 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Single Phase
  • Descripción detallada
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBP
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    2A
  • Número de pieza base
    KBP210

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Descripción: DIODE BRIDGE 2A 800V 1PH KBP

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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Descripción: BRIDGE DIODE 2A 1000V GPP KBP

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP

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Descripción: BRIDGE DIODE 3A 100V GPP KBP

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Descripción: RECT BRIDGE GPP 2A 800V KBP

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Descripción: DIODE BRIDGE 800V 2A KBP

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Descripción: BRIDGE RECT 2A 1KV KBPR

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
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