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Imagen ZXMC3AM832TA

Diodes Incorporated

ZXMC3AM832TA

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Especificaciones

Número de pieza

ZXMC3AM832TA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMC3AM832TA.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo

8-MLP (3x3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

120 mOhm @ 2.5A, 10V
Potencia - Max

1.7W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-VDFN Exposed Pad
Otros nombres

1034-ZXMC3AM832TACT
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.9nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 2.1A

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