ZXM66P03N8TA

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Especificaciones

Número de pieza

ZXM66P03N8TA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXM66P03N8TA.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 5.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.56W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

ZXM66P03N8CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1979pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

36nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 6.25A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.25A (Ta)

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ZXM66N03N8TA

Descripción: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

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