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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > ZXMHC10A07N8TC

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Imagen ZXMHC10A07N8TC

Diodes Incorporated

ZXMHC10A07N8TC

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Especificaciones

Número de pieza

ZXMHC10A07N8TC
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMHC10A07N8TC.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

700 mOhm @ 1.5A, 10V
Potencia - Max

870mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

ZXMHC10A07N8DICT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 60V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.9nC @ 10V
Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

800mA, 680mA
Número de pieza base

ZXMHC10A07

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