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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > ZXMHC6A07T8TA

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Imagen ZXMHC6A07T8TA

Diodes Incorporated

ZXMHC6A07T8TA

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Especificaciones

Número de pieza

ZXMHC6A07T8TA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMHC6A07T8TA.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SM8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 1.8A, 10V
Potencia - Max

1.3W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-223-8
Otros nombres

ZXMHC6A07T8TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

166pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.2nC @ 10V
Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.6A, 1.3A 1.3W Surface Mount SM8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A, 1.3A
Número de pieza base

ZXMHC6A07T8

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