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Imagen ZXMN3A06DN8TA

Diodes Incorporated

ZXMN3A06DN8TA

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Especificaciones

Número de pieza

ZXMN3A06DN8TA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMN3A06DN8TA.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

35 mOhm @ 9A, 10V
Potencia - Max

1.8W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

ZXMN3A06DN8CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

796pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17.5nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.9A

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