ZXMN3AM832TA

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Especificaciones

Número de pieza

ZXMN3AM832TA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMN3AM832TA.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo

8-MLP (3x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

120 mOhm @ 2.5A, 10V
Potencia - Max

1.13W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-VDFN Exposed Pad
Otros nombres

ZXMN3AM832CT
ZXMN3AM832TA-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.9nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.13W Surface Mount 8-MLP (3x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

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ZXMN3A14FTA

Descripción:

Fabricantes: DIODES

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