EPC2036

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Especificaciones

Número de pieza

EPC2036
Fabricante / Marca

EPC
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Descripción

TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.EPC2036.pdf
2.EPC2036.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 600µA
Vgs (Max)

+6V, -4V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

Die
Serie

eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 1A, 5V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

917-1100-2
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.91nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 1A (Ta) Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

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