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EPC2032ENGR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EPC2032ENGR
  • Fabricante / Marca
    EPC
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    EPC2032ENGR.pdf
  • Voltaje - Prueba
    1530pF @ 50V
  • Tensión - Desglose
    Die
  • VGS (th) (Max) @Id
    4 mOhm @ 30A, 5V
  • Tecnología
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Serie
    eGaN®
  • Estado RoHS
    Tray
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    48A (Ta)
  • Polarización
    Die
  • Otros nombres
    917-EPC2032ENGR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    EPC2032ENGR
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    15nC @ 5V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    2.5V @ 11mA
  • Característica de FET
    N-Channel
  • Descripción ampliada
    N-Channel 100V 48A (Ta) Surface Mount Die
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    -
  • Descripción
    TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100V
  • relación de capacidades
    -

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