Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > EPC2105ENGRT

RFQs/Orden (0)

español

español

5932587

Imagen EPC2105ENGRT

EPC

EPC2105ENGRT

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

500+

$5.579

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

EPC2105ENGRT
Fabricante / Marca

EPC
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EPC2105ENGRT.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 2.5mA
Paquete del dispositivo

Die
Serie

eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs

14.5 mOhm @ 20A, 5V
Potencia - Max

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

917-EPC2105ENGRTR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.5nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "EPC2105ENGRT".

EPC2102ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2110

Descripción: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2106ENGRT

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2104

Descripción: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2103

Descripción: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2104ENGRT

Descripción: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2104ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2110ENGRT

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2103ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2102ENGRT

Descripción: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2107

Descripción: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2105ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2108ENGRT

Descripción: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2111

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2111ENGRT

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2107ENGRT

Descripción: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2103ENGRT

Descripción: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2106

Descripción: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2105

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

EPC2108

Descripción: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Fabricantes: EPC

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.