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EPC2102ENG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EPC2102ENG
  • Fabricante / Marca
    EPC
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    EPC2102ENG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 7mA
  • Paquete del dispositivo
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.4 mOhm @ 20A, 5V
  • Potencia - Max
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    917-EPC2102ENG
    EPC2102ENGRH6
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    830pF @ 30V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    6.8nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Característica de FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    23A

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