1N4006GP-M3/73

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

1N4006GP-M3/73
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1N4006GP-M3/73.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.1V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

800V
Paquete del dispositivo

DO-204AL (DO-41)
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

DO-204AL, DO-41, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction

-50°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Los siguientes son productos relacionados con "1N4006GP-M3/73".

1N4006G-T

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GPE-M3/54

Descripción: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GP

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GHR1G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

1N4006RL

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GPHE3/73

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

1N4006T-G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricantes: Comchip Technology

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GL-T

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

RFQ

1N4006TA

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricantes: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

Existencias disponibles

RFQ

1N4006RLG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GHB0G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GHA0G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GP-M3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

Existencias disponibles

RFQ

1N4006L-T

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GPHE3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GPE-M3/73

Descripción: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

1N4007

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GP-E3/73

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GP-E3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

1N4006GHR0G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Registro anticipado

1N4006GP-M3/73

Petición de oferta en línea

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

1N4006G-T

1N4006GPE-M3/54

1N4006GP

1N4006GHR1G

1N4006RL

1N4006GPHE3/73

1N4006T-G

1N4006GL-T

1N4006TA

1N4006RLG

1N4006GHB0G

1N4006GHA0G

1N4006GP-M3/54

1N4006L-T

1N4006GPHE3/54

1N4006GPE-M3/73

1N4007

1N4006GP-E3/73

1N4006GP-E3/54

1N4006GHR0G

Seleccione el idioma

Idioma actual