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3N163-2

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Especificaciones

Número de pieza

3N163-2
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

3N163-2.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 10µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-72
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

250 Ohm @ 100µA, 20V
La disipación de energía (máximo)

375mW (Ta)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 15V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

P-Channel 40V 50mA (Ta) 375mW (Ta) Through Hole TO-72
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50mA (Ta)

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