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4475156Imagen 3N163-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

3N163-E3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    3N163-E3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    3N163-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 10µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-72
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    250 Ohm @ 100µA, 20V
  • La disipación de energía (máximo)
    375mW (Ta)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3.5pF @ 15V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    P-Channel 40V 50mA (Ta) 375mW (Ta) Through Hole TO-72
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    50mA (Ta)

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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