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2863751Imagen BYG10K-E3/TRElectro-Films (EFI) / Vishay

BYG10K-E3/TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BYG10K-E3/TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.15V @ 1.5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    800V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AC (SMA)
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    4µs
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    40 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Avalanche
  • Descripción detallada
    Diode Avalanche 800V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 800V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1.5A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    BYG10K
BYG10J/TR

BYG10J/TR

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10K-M3/TR

BYG10K-M3/TR

Descripción: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10KHE3_A/I

BYG10KHE3_A/I

Descripción: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10JHE3/TR3

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Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG10JHE3_A/H

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Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10JHM3_A/H

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Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10J-M3/TR3

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Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

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BYG10JHM3/TR

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Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG10JHE3/TR

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Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG10KHE3/TR

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Descripción: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG10K-E3/TR3

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Descripción: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10K-M3/TR3

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Descripción: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

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BYG10KHM3/TR3

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Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG10KHM3/TR

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Descripción: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

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BYG10KHM3_A/H

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Descripción: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

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BYG10KHE3/TR3

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BYG10KHE3_A/H

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BYG10JHE3_A/I

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BYG10JHM3/TR3

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