BYG10KHM3/TR

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Especificaciones

Número de pieza

BYG10KHM3/TR
Fabricante / Marca

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
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Descripción

DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BYG10KHM3/TR.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

Avalanche
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.5A
Tensión - Desglose

DO-214AC (SMA)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

-
Polarización

DO-214AC, SMA
Temperatura de funcionamiento - Junction

4µs
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Número de pieza del fabricante

BYG10KHM3/TR
Descripción ampliada

Diode Avalanche 800V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
configuración de diodo

1µA @ 800V
Descripción

DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.15V @ 1.5A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

800V
Capacitancia Vr, F

-55°C ~ 150°C

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