IRLI640GPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRLI640GPBF
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRLI640GPBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 5.9A, 5V
La disipación de energía (máximo)

40W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres

*IRLI640GPBF
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

66nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 9.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.9A (Tc)

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