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2341301Imagen IRLIB4343International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLIB4343

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRLIB4343
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / No conforme a RoHS
  • Especificaciones
    IRLIB4343.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB Full-Pak
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    50 mOhm @ 4.7A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    39W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3 Full Pack
  • Otros nombres
    *IRLIB4343
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    55V
  • Descripción detallada
    N-Channel 55V 19A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    19A (Tc)

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