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5619357Imagen RS1DHE3/61TElectro-Films (EFI) / Vishay

RS1DHE3/61T

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RS1DHE3/61T
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    200V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AC (SMA)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    150ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Número de pieza base
    RS1D
RS1DB-13

RS1DB-13

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1DB-13-F

RS1DB-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1DHE3_A/H

RS1DHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1DFS MWG

RS1DFS MWG

Descripción: DIODE

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DFS MXG

RS1DFS MXG

Descripción: DIODE, FAST, 1A, 200V

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DL MQG

RS1DL MQG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DFA

RS1DFA

Descripción: DIODE GP 200V 800MA SOD123FA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RS1DL M2G

RS1DL M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DL MHG

RS1DL MHG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DFSHMWG

RS1DFSHMWG

Descripción: DIODE

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1D/1

RS1D/1

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1DL RFG

RS1DL RFG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1D-M3/61T

RS1D-M3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1DL MTG

RS1DL MTG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DHE3_A/I

RS1DHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1DHR3G

RS1DHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DHE3/5AT

RS1DHE3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1DHM2G

RS1DHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DL R3G

RS1DL R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DFSHMXG

RS1DFSHMXG

Descripción: DIODE, FAST, 1A, 200V

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles

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