Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > RS1DL MHG
RFQs/Orden (0)
español
español
1586711Imagen RS1DL MHGTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DL MHG

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
20000+
$0.045
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    RS1DL MHG
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 800mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    200V
  • Paquete del dispositivo
    Sub SMA
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    150ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-219AB
  • Otros nombres
    RS1DL MHG-ND
    RS1DLMHG
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    21 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    800mA
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1DHE3_A/I

RS1DHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1DHR3G

RS1DHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DL RFG

RS1DL RFG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DHM2G

RS1DHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DL MTG

RS1DL MTG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DL RUG

RS1DL RUG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DFS MXG

RS1DFS MXG

Descripción: DIODE, FAST, 1A, 200V

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DHE3/61T

RS1DHE3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1DL RQG

RS1DL RQG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DFSHMWG

RS1DFSHMWG

Descripción: DIODE

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DHE3_A/H

RS1DHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1DL M2G

RS1DL M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DHE3/5AT

RS1DHE3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1DL RTG

RS1DL RTG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DL MQG

RS1DL MQG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DL RVG

RS1DL RVG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DL R3G

RS1DL R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DFSHMXG

RS1DFSHMXG

Descripción: DIODE, FAST, 1A, 200V

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DL RHG

RS1DL RHG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1DLHM2G

RS1DLHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir