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3029734Imagen RS3G-M3/9ATElectro-Films (EFI) / Vishay

RS3G-M3/9AT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RS3G-M3/9AT
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 2.5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    400V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AB (SMC)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    150ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    30 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    3A
  • Capacitancia Vr, F
    44pF @ 4V, 1MHz
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS3G M6G

RS3G M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS3GHE3/57T

RS3GHE3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS3G R7G

RS3G R7G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS3GHE3/9AT

RS3GHE3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS3G-13

RS3G-13

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS3J M6G

RS3J M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS3G/7T

RS3G/7T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS3GHE3_A/H

RS3GHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS3G V7G

RS3G V7G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS3GB-13-F

RS3GB-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS3GHE3_A/I

RS3GHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS3GHM6G

RS3GHM6G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS3GB-13

RS3GB-13

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS3GHR7G

RS3GHR7G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles

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