RS3GHE3_A/I

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

3500+

$0.235

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

RS3GHE3_A/I
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RS3GHE3_A/I.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.3V @ 2.5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

400V
Paquete del dispositivo

DO-214AB (SMC)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

150ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-214AB, SMC
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

30 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 400V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

44pF @ 4V, 1MHz
Número de pieza base

RS3G

Los siguientes son productos relacionados con "RS3GHE3_A/I".

RS3G-M3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

RS3GHE3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

RS3G-E3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

RS3J V7G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

RS3GB-13

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

RFQ

RS3J-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

RFQ

RS3J M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

RS3GHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

RS3J R7G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

RS3J-M3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Registro anticipado

RS3GHE3_A/I

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

RS3G-M3/9AT

RS3GHE3/57T

RS3G-E3/57T

RS3J V7G

RS3GB-13

RS3J-13-F

RS3J M6G

RS3GHE3_A/H

RS3J R7G

RS3J-M3/57T

RS3GB-13-F

RS3G-M3/57T

RS3G-E3/9AT

RS3J-13

RS3GHR7G

RS3J-E3/9AT

RS3G/7T

RS3GHE3/9AT

RS3GHM6G

RS3J-E3/57T

Seleccione el idioma

Idioma actual