SI3481DV-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI3481DV-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI3481DV-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

48 mOhm @ 5.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.14W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

SI3481DV-T1-E3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 4A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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