SI3477DV-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI3477DV-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción

MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI3477DV-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

17.5 mOhm @ 9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta), 4.2W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

SI3477DV-T1-GE3TR
SI3477DVT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

90nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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