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499451Imagen SI5517DU-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5517DU-T1-E3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI5517DU-T1-E3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI5517DU-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® ChipFet Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Potencia - Max
    8.3W
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Otros nombres
    SI5517DU-T1-E3CT
    SI5517DUT1E3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    520pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    16nC @ 8V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    6A
  • Número de pieza base
    SI5517

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