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4392386Imagen SI5519DU-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5519DU-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI5519DU-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI5519DU-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.8V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® ChipFet Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
  • Potencia - Max
    10.4W
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Otros nombres
    SI5519DU-T1-GE3DKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    660pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    17.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    6A
  • Número de pieza base
    SI5519

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Descripción: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

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Descripción: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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