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4320124Imagen SI6473DQ-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI6473DQ-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI6473DQ-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI6473DQ-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    450mV @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-TSSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.08W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    70nC @ 5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    6.2A (Ta)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP

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Descripción: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

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Descripción: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP

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Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP

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Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

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Descripción: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

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