SI6467BDQ-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI6467BDQ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI6467BDQ-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

850mV @ 450µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-TSSOP
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

12.5 mOhm @ 8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.05W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres

SI6467BDQ-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 6.8A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A (Ta)

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SI6469DQ-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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