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Imagen SI7960DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7960DP-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI7960DP-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI7960DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

21 mOhm @ 9.7A, 10V
Potencia - Max

1.4W
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres

SI7960DP-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

75nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A
Número de pieza base

SI7960

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