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Imagen SI7980DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7980DP-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI7980DP-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI7980DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

22 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max

19.8W, 21.9W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres

SI7980DP-T1-GE3TR
SI7980DPT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A
Número de pieza base

SI7980

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