SI8806DB-T2-E1

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Especificaciones

Número de pieza

SI8806DB-T2-E1
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8806DB-T2-E1.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-Microfoot
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

43 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-XFBGA
Otros nombres

SI8806DB-T2-E1TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 8V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

N-Channel 12V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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